Метод синтеза полупроводниковых структур n-InSb1-xBix–i–GaAs, n-InSb1-xBix–i–GaAs/Те,перспективных для изготовления

Authors

Шилагарди . Г Монгольский Национальный Университет, Школа физики и электроники, Кафедра общей физики
Ярмолович В.А Республика Беларусь, Белорусский государственный университет
Прокошин В.И Республика Беларусь, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований
Төмөрбаатар Д Монгольский Национальный Университет, Школа биологии, Кафедра биофизики,
Цооху Х Монгольский Национальный Университет, Школа физики и электроники, Кафедра теоретической физики
Эрдэнэбаатар .Д
Хандма .Ц

Полупроводниковые твердые растворы InSb-InBi привлекают исследователей возможностью плавного изменения ширины
запрещенной зоны Еg вплоть до нуля.

Download data is not yet available.