Электрофизические свойства полупроводниковых структур n-InSb1-xBix–i–GaAs и n-InSb1-xBix–i–GaAs/Те

Authors

  • Шилагарди Г Монгольский Национальный Университет, Школа физики и электроники, Кафедра общей физики
  • Ярмолович В.А Республика Беларусь, Белорусский государственный университет
  • Прокошин В.И Республика Беларусь, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований
  • Төмөрбаатар Д Монгольский Национальный Университет, Школа биологии, Кафедра биофизики,
  • Цооху Х Монгольский Национальный Университет, Школа физики и электроники, Кафедра теоретической физики
  • Эрдэнэбаатар .Д Монгольский Национальный Университет, Школа физики и электроники, Кафедра общей физики
  • Хандма .Ц Монгольский Национальный Университет, Школа физики и электроники, Кафедра общей физики

DOI:

https://doi.org/10.22353/physics.v17i362.688

Abstract

Гетероструктуры n-InSb1-xBix-i-GaAs приемлемого качества были получены более 30 лет назад японскими исследователями J.L. Zilko, J.E. Greene в работах [1,2]. При этом использовался метод эпитаксиального
выращивания пленок в установке  молекулярной эпитаксии в условиях бомбардировки низкоэнергетическими
ионами висмута.

Downloads

Downloads

Published

2022-03-13

How to Cite

[1]
Ш. . Г, “Электрофизические свойства полупроводниковых структур n-InSb1-xBix–i–GaAs и n-InSb1-xBix–i–GaAs/Те ”, Sci. tran. NUM, Phys., vol. 17, no. 362, pp. 58–60, Mar. 2022.

Issue

Vol. 17 No. 362 (2012): Физик

Section

Research article

License

Copyright (c) 2022 Физик сэтгүүл

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.

Most read articles by the same author(s)

1 2 3 > >>