Метод синтеза полупроводниковых структур n-InSb1-xBix–i–GaAs, n-InSb1-xBix–i–GaAs/Те,перспективных для изготовления 

Authors

  • Шилагарди . Г Монгольский Национальный Университет, Школа физики и электроники, Кафедра общей физики
  • Ярмолович В.А Республика Беларусь, Белорусский государственный университет
  • Прокошин В.И Республика Беларусь, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований
  • Төмөрбаатар Д Монгольский Национальный Университет, Школа биологии, Кафедра биофизики,
  • Цооху Х Монгольский Национальный Университет, Школа физики и электроники, Кафедра теоретической физики
  • Эрдэнэбаатар .Д
  • Хандма .Ц

DOI:

https://doi.org/10.22353/physics.v17i362.689

Abstract

Полупроводниковые твердые растворы InSb-InBi привлекают исследователей возможностью плавного изменения ширины
запрещенной зоны Еg вплоть до нуля.

Downloads

Download data is not yet available.

Downloads

Published

2022-03-13

How to Cite

. Г, Ш., В.А, Я. ., В.И, П. ., Д, Т. ., Х, Ц. ., .Д, Э., & .Ц, Х. (2022). Метод синтеза полупроводниковых структур n-InSb1-xBix–i–GaAs, n-InSb1-xBix–i–GaAs/Те,перспективных для изготовления  . Scientific Transaction of the National University of Mongolia. Physics, 17(362), 61–66. https://doi.org/10.22353/physics.v17i362.689

Issue

Vol. 17 No. 362 (2012): Физик

Section

Research article

License

Copyright (c) 2022 Физик сэтгүүл

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.

Most read articles by the same author(s)

1 2 > >>