InGaAs/InAlAs quantum well дэх цахиурын атомын хольцын нөлөө

Authors

  • Оюун-Эрдэнэ О Хими Биологийн Инженерчлэлийн Тэнхим , Хэрэглээний Шинжлэх Ухаан, Инженерчлэлийн Сургууль, МУИС
  • Биазиол ж IOM CNR, TASC лаборатор, Шинжлэх Ухааны Парк, Триесте, Итали
  • Тамираа Г Хими Биологийн Инженерчлэлийн Тэнхим , Хэрэглээний Шинжлэх Ухаан, Инженерчлэлийн Сургууль, МУИС

DOI:

https://doi.org/10.22353/physics.v28i510.665

Keywords:

цэнэгийн концентраци, хольц

Abstract

Бид энэхүү ажлаар InGaAs/InAlAs quantum well (QW)-д дельта хэлбэрийн цахиурын
атомын хольц хийсэн ба QW ба цахиурын атомын хольцын үе хоорондын зайг 5 – 45
нм хүртэл өөрчлөн цахиурын атомын хольцыг QW-н дээр, доор байрлуулан тооцоо
хийж, хольцын концентрацийг өөрчлөн QW дахь цэнэгийн концентрацид хэрхэн
нөлөөлөхийг судлав. Үүнээс цахиурын атомын хольцыг QW-с холдуулах тусам
электроны концентраци буурч байсан ба QW-н дээр хольцыг байрлуулахад шугаман
хамааралтай ба хольцын концентраци ихсэхэд QW дотор үүсэх цэнэгийн хэмжээ
ихсэж байгааг харууллаа.

Downloads

Downloads

Published

2022-03-13

How to Cite

[1]
О.-Э. О, Б. ж, and Т. Г, “InGaAs/InAlAs quantum well дэх цахиурын атомын хольцын нөлөө”, Sci. tran. NUM, Phys., vol. 28, no. 510, pp. 73–75, Mar. 2022.

Issue

Vol. 28 No. 510 (2019): Физик

Section

Research article

License

Copyright (c) 2022 Физик сэтгүүл

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.