. Г Ш, В.А Я, В.И П, Д Т, Х Ц, .Д Э, .Ц Х. Метод синтеза полупроводниковых структур n-InSb1-xBix–i–GaAs, n-InSb1-xBix–i–GaAs/Те,перспективных для изготовления  . Sci. tran. NUM, Phys. [Internet]. 2022 Mar. 13 [cited 2024 Nov. 23];17(362):61-6. Available from: https://journal.num.edu.mn/physics/article/view/689