Г, Ш. ., Я. . В.А, П. . В.И, Т. . Д, Ц. . Х, Э. .Д, and Х. .Ц. “Электрофизические свойства полупроводниковых структур N-InSb1-xBix–i–GaAs и N-InSb1-xBix–i–GaAs/Те”. Scientific Transaction of the National University of Mongolia. Physics, vol. 17, no. 362, Mar. 2022, pp. 58-60, doi:10.22353/physics.v17i362.688.