Г, Ш. ., В.А, Я. ., В.И, П. ., Д, Т. ., Х, Ц. ., .Д, Э. and .Ц, Х. (2022) “Электрофизические свойства полупроводниковых структур n-InSb1-xBix–i–GaAs и n-InSb1-xBix–i–GaAs/Те ”, Scientific transaction of the National University of Mongolia. Physics, 17(362), pp. 58–60. doi: 10.22353/physics.v17i362.688.