. Г, Ш.; В.А, Я. .; В.И, П. .; Д, Т. .; Х, Ц. .; .Д, Э.; .Ц, Х. Метод синтеза полупроводниковых структур n-InSb1-xBix–i–GaAs, n-InSb1-xBix–i–GaAs/Те,перспективных для изготовления  . Scientific transaction of the National University of Mongolia. Physics, [S. l.], v. 17, n. 362, p. 61–66, 2022. DOI: 10.22353/physics.v17i362.689. Disponível em: https://journal.num.edu.mn/physics/article/view/689. Acesso em: 23 nov. 2024.