. Г, Ш.; В.А, Я. .; В.И, П. .; Д, Т. .; Х, Ц. .; .Д, Э.; .Ц, Х. Метод синтеза полупроводниковых структур N-InSb1-xBix–i–GaAs, N-InSb1-xBix–i–GaAs/Те,перспективных для изготовления . Sci. tran. NUM, Phys. 2022, 17, 61-66.