(1)
Г, Ш. .; В.А, Я. .; В.И, П. .; Д, Т. .; Х, Ц. .; .Д, Э.; .Ц, Х. Электрофизические свойства полупроводниковых структур N-InSb1-xBix–i–GaAs и N-InSb1-xBix–i–GaAs/Те.
Sci. tran. NUM, Phys.
2022
,
17
, 58-60.