(1)
Г, Ш. .; В.А, Я. .; В.И, П. .; Д, Т. .; Х, Ц. .; .Д, Э.; .Ц, Х. Электрофизические свойства полупроводниковых структур N-InSb1-xBix–i–GaAs и N-InSb1-xBix–i–GaAs/Те. Sci. tran. NUM, Phys. 2022, 17, 58-60.