Г, Ш. , В.А, Я. , В.И, П. , Д, Т. , Х, Ц. , .Д, Э. and .Ц, Х. 2022. Электрофизические свойства полупроводниковых структур n-InSb1-xBix–i–GaAs и n-InSb1-xBix–i–GaAs/Те . Scientific transaction of the National University of Mongolia. Physics. 17, 362 (Mar. 2022), 58–60. DOI:https://doi.org/10.22353/physics.v17i362.688.