Электрофизические свойства полупроводниковых структур n-InSb1-xBix–i–GaAs и n-InSb1-xBix–i–GaAs/Те - Г, Шилагарди; В.А, Ярмолович; В.И, Прокошин; Д, Төмөрбаатар; Х, Цооху; .Д, Эрдэнэбаатар; .Ц, Хандма (Scientific transaction of the National University of Mongolia. Physics, 2022)
Гетероструктуры n-InSb1-xBix-i-GaAs приемлемого качества были получены более 30 лет назад японскими исследователями J.L. Zilko, J.E. Greene в работах [1,2]. При этом использовался метод эпитаксиального выращивания пленок в установке молекулярной эпитаксии в условиях бомбардировки низкоэнергетическими ионами висмута.