InGaAs/InAlAs quantum well дэх цахиурын атомын хольцын нөлөө - О, Оюун-Эрдэнэ; ж, Биазиол; Г, Тамираа (Scientific transaction of the National University of Mongolia. Physics, 2022)
Бид энэхүү ажлаар InGaAs/InAlAs quantum well (QW)-д дельта хэлбэрийн цахиурын атомын хольц хийсэн ба QW ба цахиурын атомын хольцын үе хоорондын зайг 5 – 45 нм хүртэл өөрчлөн цахиурын атомын хольцыг QW-н дээр, доор байрлуулан тооцоо хийж, хольцын концентрацийг өөрчлөн QW дахь цэнэгийн концентрацид хэрхэн нөлөөлөхийг судлав. Үүнээс цахиурын атомын хольцыг QW-с холдуулах тусам электроны концентраци буурч байсан ба QW-н дээр хольцыг байрлуулахад шугаман хамааралтай ба хольцын концентраци ихсэхэд QW дотор үүсэх цэнэгийн хэмжээ ихсэж байгааг харууллаа.